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Innovazione

Kioxia Rivoluziona la Memoria nei Server AI con Nuovi Moduli Flash CXL e SSD PCIe 6.0

redazione Settembre 15, 2026 Innovazione

Kioxia presenta innovativi moduli di memoria flash e SSD per ottimizzare le prestazioni nei data center dedicati all'intelligenza artificiale.

Immagine di memorie flash Kioxia

In Breve

Quali sono le novità di Kioxia nel settore della memoria?
Kioxia ha sviluppato SSD PCIe 6.0 e moduli flash CXL per migliorare le prestazioni nei server AI.
Come i nuovi moduli influenzano la DRAM?
I moduli CXL possono ridurre la dipendenza dalla DRAM, raddoppiando la capacità di memoria e migliorando le prestazioni.
Quando saranno disponibili le nuove tecnologie?
Le unità di valutazione saranno consegnate nell'agosto 2026.

Kioxia, leader nel settore delle memorie flash, ha annunciato lo sviluppo di soluzioni innovative per i data center, mirate a ridurre la dipendenza dalla DRAM nei carichi di lavoro legati all’intelligenza artificiale. L’azienda sta combinando la tecnologia NAND ad alte prestazioni con interfacce avanzate come PCIe 6.0 e CXL, per realizzare SSD ad elevata larghezza di banda e moduli di espansione memoria che si pongono tra la DRAM e gli SSD tradizionali.

La nuova linea GP1 include SSD NVMe PCIe 6.0 progettati per gestire alti tassi di I/O e per facilitare comunicazioni dirette tra GPU e storage. Tra i prodotti presentati, troviamo anche il modello CM10, basato sulla decima generazione di BiCS FLASH, e il NX1 in formato E1.S, dotato di connettività PCIe 5.0 e supporto per raffreddamento a liquido.

Uno dei progetti più significativi è rappresentato dalla serie XL1, un modulo di espansione compatibile con CXL, costruito su tecnologia XL FLASH. Questo modulo è in grado di trasferire l’accesso alla memoria attraverso link PCIe, riducendo la latenza di lettura a meno di un decimo rispetto alle soluzioni NAND convenzionali. Kioxia si propone di posizionare questa tecnologia in un punto intermedio tra le prestazioni e i costi della DRAM e degli SSD.

Inoltre, Kioxia sostiene che l’implementazione di moduli CXL per sostituire parte della DRAM potrebbe raddoppiare la capacità di memoria e migliorare le prestazioni del 30%. Tuttavia, l’azienda riconosce che il NAND è intrinsecamente più lento della DRAM e che una sostituzione totale comporterebbe penalizzazioni per applicazioni sensibili alla latenza.

Le prime unità di valutazione sono previste per la consegna nell’agosto 2026. Inoltre, le tecnologie saranno presentate durante il FMS 2026 a Santa Clara, attraverso presentazioni, sessioni tecniche e dimostrazioni dal vivo. La strategia di Kioxia si concentra sull’integrazione e l’ampliamento della memoria esistente, piuttosto che sull’eliminazione dell’uso della DRAM.

redazione

Autore della redazione Energia Domani.